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86-755-
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パンプ特徴:
最大レーザー輸出パワーは5Wです。配置:弊社自行研究開発、自主知識財産権5W紫外レーザー、高精度二維平台、高制度回転平台、全自動材料送り装置、高精度CCD監視システム、図形処理システム、エア吹き冷却システム等。図形処理システムはCCDに自動採集、識別、処理功能がある。材料送りからカット、材料卸すまでの自動化過程を実現する。異常信号バックの功能がある。紫外レーザー冷光源は小さい熱反応区があり、カットは晶粒の性能を優れになる。切り口はしっかり、産能高い、晶園面積の利用率高い。単晶珪素、IC晶粒のカットと彫刻に適用する。晶園大小:3~8“に適用。
長所と適用範囲:
単晶珪素、IC晶粒のカットと彫刻に適用する。晶園大小:3~8“に適用。
技術パラメーター:
最大レーザー平均出力: 5W
レーザー波長: 355nm
カット範囲: 3-8"
最小字の寸法: 0.3mm
繰り返し精度:
0.003mm
全体出力: 1.8KW
電力必要: 220V / 50Hz/15A
ホストコンピュータシステム: 1850mm
1300mm
2000mm
冷却システム: 650mm
343mm
715mm
サンプル
Hits:2102
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